応用情報に戻る
LSI の故障メカニズムの一つである ESD破壊難易度: 標準2011年度

応用情報技術者 過去問｜LSI の故障メカニズムの一つである ESD破壊 2011年度 第23問

問題

LSI の故障メカニズムの一つである ESD（Electrostatic Discharge）破壊の説明として，適切なものはどれか。

選択肢

  1. 1機械的な力によって，配線が切断されてしまう現象
  2. 2寄生サイリスタの導通によって，半導体素子が破壊されてしまう現象
  3. 3静電気放電によって，半導体素子が破壊されてしまう現象
  4. 4電流が過度に流れることによって，配線が切断されてしまう現象

正解

3. 静電気放電によって，半導体素子が破壊されてしまう現象

詳しい解説を見る

解説

ESD（Electrostatic Discharge）は静電気放電のことで、人体や装置に帯電した静電気が LSI に放電する際の過大な電圧・電流によって半導体素子が破壊される現象である。よってウが正解。イはラッチアップ、エはエレクトロマイグレーション（過電流による配線破壊）の説明である。（出典: 平成23年度 秋期 応用情報技術者試験 午前 問23）

一問一答

全400問を繰り返し学習

前の問題

問題 第22問

次の問題

問題 第24問

同じ年度の過去問

この調子で演習を続けよう

スキマ資格では応用情報の全3360問を分野別・難易度別に体系的に学習できます。応用情報技術者試験（AP）は IPA が実施する情報処理技術者試験のレベル3。2026年度からCBT方式へ移行し、科目A（四肢択一80問）・科目B（記述11問中5問選択）の2部構成で、それぞれ基準点以上が必要です。テクノロジ・マネジメント・ストラテジの全分野から出題されます。

応用情報トップ

まとめノート・一問一答・予想問題

一問一答

全400問を繰り返し学習

過去問題

IPA公開の午前過去問2,560問（出典明記）

まとめノート

全30章で全範囲を網羅

用語解説辞典

応用情報の頻出用語250語を解説

○○と××の違い

応用情報の混同論点を比較表で整理

試験概要

受験資格・合格率・試験日程