問題
フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。
選択肢
- 1高速に書換えができ、CPU のキャッシュメモリに用いられる。
- 2紫外線で内容の消去ができる。
- 3周期的にデータの再書込みが必要である。
- 4ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。
正解
4. ブロック単位で電気的に内容の消去ができる。
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解説
フラッシュメモリは電気的に内容を書換え・消去できる不揮発性メモリで、消去はブロック単位で行われる。よってエが正解。アは SRAM、イは紫外線消去型 EPROM（UV-EPROM）、ウは DRAM（リフレッシュが必要）の説明であり誤り。（出典: 平成28年度 秋期 応用情報技術者試験 午前 問21）
一問一答
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