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練習問題難易度: 標準2018年度

応用情報技術者 過去問｜練習問題 第10問

問題

NAND型フラッシュメモリに関する記述として，適切なものはどれか。

選択肢

  1. 1バイト単位で書込み，ページ単位で読出しを行う。
  2. 2バイト単位で書込み及び読出しを行う。
  3. 3ページ単位で書込み，バイト単位で読出しを行う。
  4. 4ページ単位で書込み及び読出しを行う。

正解

4. ページ単位で書込み及び読出しを行う。

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解説

NAND型フラッシュメモリは，読出しも書込みもページ（ブロックを細分した一定サイズの領域）単位で行う。バイト単位のランダムアクセスはできず，消去はさらに大きなブロック単位で行うのが特徴である。これにより大容量化と低コスト化を実現し，SSDやSDカードに用いられる。（出典: 平成30年度 春期 応用情報技術者試験 午前 問10）

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