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練習問題難易度: 標準2018年度

応用情報技術者 過去問｜練習問題 第10問

問題

相変化メモリの説明として，適切なものはどれか。

選択肢

  1. 1一度だけ書込みが可能な不揮発性メモリ
  2. 2結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する不揮発性メモリ
  3. 3フリップフロップ回路で構成された揮発性メモリ
  4. 4リフレッシュ動作が必要な揮発性メモリ

正解

2. 結晶状態と非結晶状態の違いを利用して情報を記憶する不揮発性メモリ

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解説

相変化メモリ（PRAM）は，材料が結晶状態と非結晶（アモルファス）状態で電気抵抗が異なる性質を利用して情報を記憶する不揮発性メモリである。アはPROM、ウはSRAM、エはDRAMの説明。（出典: 平成30年度 秋期 応用情報技術者試験 午前 問10）

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