問題
フラッシュメモリにおけるウェアレベリングの説明として、適切なものはどれか。
選択肢
- 1各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように、物理的な書込み位置を選択する。
- 2記憶するセルの電子の量に応じて、複数のビット情報を記録する。
- 3不良のブロックを検出し、交換領域にある正常な別のブロックで置き換える。
- 4ブロック単位でデータを消去し、新しいデータを書き込む。
正解
1. 各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるように、物理的な書込み位置を選択する。
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解説
フラッシュメモリは書込み・消去回数に上限があり、特定のブロックに集中すると早く劣化する。ウェアレベリングは、各ブロックの書込み回数がなるべく均等になるよう物理的な書込み位置を割り振り、メモリ全体の寿命を延ばす技術である。よってアが正解。イは多値セル、ウは代替ブロック処理の説明で誤り。（出典: 令和5年度 春期 応用情報技術者試験 午前 問11）
一問一答
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