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練習問題難易度: 標準2011年度

基本情報技術者 過去問練習問題 第25問

問題

フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。

選択肢

  1. 1高速に書換えができ、CPU のキャッシュメモリなどに用いられる。
  2. 2紫外線で全内容の消去ができる。
  3. 3周期的にデータの再書込みが必要である。
  4. 4ブロック単位で電気的に消去できる。

正解

4. ブロック単位で電気的に消去できる。

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解説

フラッシュメモリは電気的にブロック単位で一括消去・書込みができる不揮発性メモリである。アは SRAM、イは UV-EPROM、ウは DRAM(リフレッシュが必要)の特徴である。よってエが正しい。(出典: 平成23年度 秋期 基本情報技術者試験 午前 問25)

一問一答

科目A 180問+科目B 60問

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