問題
フラッシュメモリに関する記述として、適切なものはどれか。
選択肢
- 1高速に書換えができ、CPU のキャッシュメモリなどに用いられる。
- 2紫外線で全内容の消去ができる。
- 3周期的にデータの再書込みが必要である。
- 4ブロック単位で電気的に消去できる。
正解
4. ブロック単位で電気的に消去できる。
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解説
フラッシュメモリは電気的にブロック単位で一括消去・書込みができる不揮発性メモリである。アは SRAM、イは UV-EPROM、ウは DRAM(リフレッシュが必要)の特徴である。よってエが正しい。(出典: 平成23年度 秋期 基本情報技術者試験 午前 問25)
一問一答
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