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練習問題難易度: 標準2018年度

基本情報技術者 過去問練習問題 第22問

問題

フラッシュメモリに関する記述として,適切なものはどれか。

選択肢

  1. 1高速に書換えができ,CPUのキャッシュメモリに用いられる。
  2. 2紫外線で全データを一括消去できる。
  3. 3周期的にデータの再書込みが必要である。
  4. 4ブロック単位で電気的にデータの消去ができる。

正解

4. ブロック単位で電気的にデータの消去ができる。

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解説

フラッシュメモリは電気的にデータの消去・書込みができる不揮発性メモリで,消去はブロック(一定のまとまり)単位で行われる。高速でキャッシュに用いるのはSRAM,紫外線で消去するのはUV-EPROM,周期的な再書込み(リフレッシュ)が必要なのはDRAMの特徴。よってブロック単位で電気的に消去できるエが正しい。(出典: 平成30年度 春期 基本情報技術者試験 午前 問22)

一問一答

科目A 180問+科目B 60問

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