応用情報に戻る
MOS トランジスタ難易度: 標準2023年度

応用情報技術者 過去問MOS トランジスタ 2023年度 第21問

問題

MOS トランジスタの説明として、適切なものはどれか。

選択肢

  1. 1pn 接合における電子と正孔の再結合によって光を放出するという性質を利用した半導体素子
  2. 2pn 接合部に光が当たると電流が発生するという性質を利用した半導体素子
  3. 3金属と半導体との間に酸化絶縁体を挟んだ構造をもつことが特徴の半導体素子
  4. 4逆方向電圧をかける電圧以上に印加すると、電流だけが増加し電圧がほぼ一定に保たれるという特性をもつ半導体素子

正解

3. 金属と半導体との間に酸化絶縁体を挟んだ構造をもつことが特徴の半導体素子

詳しい解説を見る

解説

MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)トランジスタは、金属(Metal)と半導体(Semiconductor)の間に酸化膜(Oxide)の絶縁体を挟んだ構造をもつ電界効果トランジスタである。この構造名がそのまま素子名の由来となっている。よってウが正解。アは LED、イはフォトダイオード、エはツェナーダイオードの説明であり誤り。(出典: 令和5年度 秋期 応用情報技術者試験 午前 問21)

一問一答

全400問を繰り返し学習

同じ年度の過去問

この調子で演習を続けよう

スキマ資格では応用情報の全3360問を分野別・難易度別に体系的に学習できます。応用情報技術者試験(AP)は IPA が実施する情報処理技術者試験のレベル3。2026年度からCBT方式へ移行し、科目A(四肢択一80問)・科目B(記述11問中5問選択)の2部構成で、それぞれ基準点以上が必要です。テクノロジ・マネジメント・ストラテジの全分野から出題されます。