問題
フラッシュメモリの説明として、適切なものはどれか。
選択肢
- 11 回だけ電気的に書込みができる。
- 2一定時間内に再書込み（リフレッシュ動作）を行う。
- 3書込み、消去とも電気的に行い、一括又はブロック単位で消去する。
- 4書込みは電気的に行い、消去は紫外線によって行う。
正解
3. 書込み、消去とも電気的に行い、一括又はブロック単位で消去する。
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解説
フラッシュメモリは EEPROM の一種で、書込み・消去をともに電気的に行い、消去は一括又はブロック単位でまとめて行うのが特徴である。アは PROM、イは DRAM（リフレッシュが必要）、エは紫外線消去型の EPROM の説明である。よってウが正しい。（出典: 平成22年度 春期 基本情報技術者試験 午前 問24）
一問一答
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